SOI
SOI (”Silicon on Insulator”) は、CMOS 集積回路 LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。
IBM社が作った技術で、IBMではサイモックス「SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)」とよんでいた。SOI技術の正体はLSIのトランジスタゲートの絶縁体 絶縁膜 （通常はSiO2） 上に形成されたSiの完全結晶 単結晶薄膜である。
トランジスタを形成するのに必要なケイ素 シリコン結晶薄膜の理想は純粋シリコン結晶だが、その下の絶縁膜は完全な結晶ではないので、完全な結晶を作ることは困難だった。SOIはこれを克服して純粋なシリコン結晶薄膜を作らせる。シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酵素分子を埋め込み、それを高熱で酸化させることでなし得る。
記事出典元: Wikipedia日本語版
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